UP1966E

Производитель-деталь №
UP1966E
Производитель
EPC
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
UP1966E
Описание
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12WLCSP
lang_0071
123889

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
EPC
Категория товара :
Power Management (PMIC) > Gate Drivers
Channel Type :
Independent
Current - Peak Output (Source, Sink) :
7.1A, 12.5A
Driven Configuration :
Half-Bridge
Gate Type :
Enhanced Mode GaN FET
High Side Voltage - Max (Bootstrap) :
85 V
Input Type :
Non-Inverting
Logic Voltage - VIL, VIH :
0.5V, 2.3V
Mounting Type :
Surface Mount
Number of Drivers :
2
Operating Temperature :
-40°C ~ 125°C (TJ)
Package / Case :
12-UFBGA, WLCSP
Product Status :
Active
Rise / Fall Time (Typ) :
8ns, 4ns
Supplier Device Package :
12-WLCSP-B (1.6x1.6)
Voltage - Supply :
4.5V ~ 5.5V
lang_0258
UP1966E

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

  • Renesas Electronics Corporation
    IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8TDFN
  • Diodes Incorporated
    IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26
  • Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
    IC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPE
  • Diodes Incorporated
    IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT26
  • Diodes Incorporated
    IC GATE DRVR LOW-SIDE TSOT25

Сопутствующие товары