W949D2DBJX5I TR

Производитель-деталь №
W949D2DBJX5I TR
Производитель
Winbond Electronics Corporation
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
W949D2DBJX5I TR
Описание
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90VFBGA
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Winbond Electronics Corporation
Категория товара :
Memory > Memory
Access Time :
5 ns
Clock Frequency :
200 MHz
Memory Format :
DRAM
Memory Interface :
Parallel
Memory Size :
512Mb (16M x 32)
Memory Type :
Volatile
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-40°C ~ 85°C (TA)
Package / Case :
90-TFBGA
Product Status :
Active
Supplier Device Package :
90-VFBGA (8x13)
Technology :
SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply :
1.7V ~ 1.95V
Write Cycle Time - Word, Page :
15ns
lang_0258
W949D2DBJX5I TR

Продукты, связанные с производителем

  • Winbond Electronics Corporation
    IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8SOIC
  • Winbond Electronics Corporation
    IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8USON
  • Winbond Electronics Corporation
    IC FLASH 8MBIT SPI 104MHZ 8SOIC
  • Winbond Electronics Corporation
    IC FLASH 4MBIT SPI 104MHZ 8SOIC
  • Winbond Electronics Corporation
    IC FLASH 8MBIT SPI 104MHZ 8USON

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
W949D2DBJX5E Winbond Electronics Corporation 35,000 IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90VFBGA
W949D2DBJX5E TR Winbond Electronics Corporation 35,000 IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90VFBGA
W949D2DBJX5I Winbond Electronics Corporation 1,225 IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90VFBGA
W949D6DBHX5E Winbond Electronics Corporation 35,000 IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60VFBGA
W949D6DBHX5E TR Winbond Electronics Corporation 35,000 IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60VFBGA
W949D6DBHX5I Winbond Electronics Corporation 586 IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60VFBGA
W949D6DBHX5I TR Winbond Electronics Corporation 35,000 IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60VFBGA