NDS36PT5-20ET TR
- Производитель-деталь №
- NDS36PT5-20ET TR
- Производитель
- Insignis Technology Corporation
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- NDS36PT5-20ET TR
- Описание
- IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
- lang_0071
- 5502
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- Компания:
- * Электронная почта:
- Телефон:
- Комментарий:
- lang_0872 :
- Insignis Technology Corporation
- Категория товара :
- Memory > Memory
- Access Time :
- 4.5 ns
- Clock Frequency :
- 200 MHz
- Memory Format :
- DRAM
- Memory Interface :
- Parallel
- Memory Size :
- 256Mb (16M x 16)
- Memory Type :
- Volatile
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature :
- 0°C ~ 70°C (TA)
- Product Status :
- Active
- Supplier Device Package :
- 54-TSOP II
- Technology :
- SDRAM
- Voltage - Supply :
- 3V ~ 3.6V
- Write Cycle Time - Word, Page :
- 10ns
- lang_0258
- NDS36PT5-20ET TR
Продукты, связанные с производителем
Продукты, связанные с каталогом
Сопутствующие товары
Деталь | Производитель | Склад | Описание |
---|---|---|---|
NDS331N | onsemi | 264,216 | MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3 |
NDS331N_D87Z | onsemi | 35,000 | MOSFET N-CH 20V 1.3A SUPERSOT3 |
NDS332P | onsemi | 82,107 | MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3 |
NDS335N | Fairchild Semiconductor | 103,522 | MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3 |
NDS335N | onsemi | 35,000 | MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3 |
NDS336P | Fairchild Semiconductor | 35,000 | MOSFET P-CH 20V 1.2A SUPERSOT3 |
NDS336P | onsemi | 35,000 | MOSFET P-CH 20V 1.2A SUPERSOT3 |
NDS351AN | onsemi | 35,000 | MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3 |
NDS351N | Fairchild Semiconductor | 35,000 | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI |
NDS351N | onsemi | 35,000 | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI |
NDS351N | onsemi | 35,000 | MOSFET N-CH 30V 1.1A SUPERSOT3 |
NDS352AP | onsemi | 35,000 | MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3 |
NDS352P | Fairchild Semiconductor | 29,286 | MOSFET P-CH 20V 850MA SUPERSOT3 |
NDS352P | onsemi | 35,000 | MOSFET P-CH 20V 850MA SUPERSOT3 |
NDS355AN | onsemi | 35,000 | MOSFET N-CH 30V 1.7A SUPERSOT3 |