IKW25T120

Производитель-деталь №
IKW25T120
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
IKW25T120
Описание
IKW25T120 - DISCRETE IGBT WITH A
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Infineon Technologies
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Single
Current - Collector (Ic) (Max) :
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm) :
75 A
Gate Charge :
155 nC
IGBT Type :
NPT, Trench Field Stop
Input Type :
Standard
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
TO-247-3
Power - Max :
190 W
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
200 ns
Supplier Device Package :
PG-TO247-3-21
Switching Energy :
2mJ (on), 2.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C :
50ns/560ns
Test Condition :
600V, 25A, 22Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.2V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
1200 V
lang_0258
IKW25T120

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
IKW20N60H3 Infineon Technologies 35,000 IKW20N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
IKW20N60H3FKSA1 Infineon Technologies 35,000 IGBT TRENCH/FS 600V 40A TO247-3
IKW20N60TA Infineon Technologies 35,000 IKW20N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR
IKW20N60TAFKSA1 Infineon Technologies 35,000 IGBT 600V 40A 166W TO247-3
IKW20N60TFKSA1 Infineon Technologies 35,000 IGBT TRENCH/FS 600V 40A TO247-3
IKW20N65ET7XKSA1 Infineon Technologies 35,000 IKW20N65ET7XKSA1
IKW25N120CS7XKSA1 Infineon Technologies 480 INDUSTRY 14 PG-TO247-3
IKW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies 35,000 IGBT 1200V 50A 326W TO247-3
IKW25N120T2FKSA1 Infineon Technologies 128 IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3
IKW25N120T2XK Infineon Technologies 35,000 IGBT, 50A, 1200V, N-CHANNEL
IKW25T120FKSA1 Infineon Technologies 35,000 IGBT 1200V 50A 190W TO247-3