IKP10N60TXKSA1

Производитель-деталь №
IKP10N60TXKSA1
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
IKP10N60TXKSA1
Описание
IGBT 600V 20A 110W TO220-3
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Infineon Technologies
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Single
Current - Collector (Ic) (Max) :
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm) :
30 A
Gate Charge :
62 nC
IGBT Type :
NPT, Trench Field Stop
Input Type :
Standard
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
TO-220-3
Power - Max :
110 W
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
115 ns
Supplier Device Package :
PG-TO220-3-1
Switching Energy :
430µJ
Td (on/off) @ 25°C :
12ns/215ns
Test Condition :
400V, 10A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.05V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
600 V
lang_0258
IKP10N60TXKSA1

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
IKP15N60TXKSA1 Infineon Technologies 35,000 IGBT 600V 30A 130W TO220-3
IKP15N65F5 Infineon Technologies 35,000 IGBT 650V 30A 105W PG-TO220-3
IKP15N65F5XKSA1 Infineon Technologies 35,000 IGBT 650V 30A TO220-3
IKP15N65H5XKSA1 Infineon Technologies 35,000 IGBT 650V 30A TO220-3
IKP15N65H5XKSA1718 Infineon Technologies 35,000 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO