F423MR12W1M1B11BOMA1

Производитель-деталь №
F423MR12W1M1B11BOMA1
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
F423MR12W1M1B11BOMA1
Описание
LOW POWER EASY
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Infineon Technologies
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - IGBTs - Modules
Configuration :
Full Bridge
Current - Collector (Ic) (Max) :
50 A
Current - Collector Cutoff (Max) :
-
IGBT Type :
Trench
Input :
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce :
3.68 nF @ 800 V
Mounting Type :
Chassis Mount
NTC Thermistor :
Yes
Operating Temperature :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
Module
Power - Max :
0.2 W
Product Status :
Obsolete
Supplier Device Package :
AG-EASY1BM-2
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
1200 V

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
F423MR12W1M1B76BPSA1 Infineon Technologies 35,000 MOSFET MODULE
F423MR12W1M1PB11BPSA1 Infineon Technologies 8 MOSFET MODULE 1200V 4PACK