RMA7N20ED1

Производитель-деталь №
RMA7N20ED1
Производитель
Rectron USA
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
RMA7N20ED1
Описание
MOSFET N-CH 20V 700MA DFN1006-3
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Rectron USA
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
700mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
FET Feature :
-
FET Type :
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
40 pF @ 10 V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-50°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
SC-101, SOT-883
Power Dissipation (Max) :
550mW (Ta)
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
260mOhm @ 500mA, 4.5V
Supplier Device Package :
DFN1006-3
Technology :
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) :
±8V
Vgs(th) (Max) @ Id :
1.2V @ 250µA
lang_0258
RMA7N20ED1

Продукты, связанные с производителем

  • Rectron USA
    TVS DIODE 14.5VWM 26.5VC DO214AC
  • Rectron USA
    TVS DIODE 14.5VWM 26.5VC DO41
  • Rectron USA
    TVS DIODE 30.8VWM 49.9VC 1.5KE
  • Rectron USA
    TVS DIODE 300VWM 482VC DO214AB
  • Rectron USA
    TVS DIODE 50.3VWM 69.4VC DO214AC

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
RMA791 Chip Quik, Inc. 37 ROSIN PASTE FLUX (RMA) IN 2OZ FL
RMA7P20ED1 Rectron USA 35,000 MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006-3