RJ1P12BBDTLL
- Производитель-деталь №
- RJ1P12BBDTLL
- Производитель
- ROHM Semiconductor
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- RJ1P12BBDTLL
- Описание
- MOSFET N-CH 100V 120A LPTL
- lang_0071
- 8
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- Компания:
- * Электронная почта:
- Телефон:
- Комментарий:
- lang_0872 :
- ROHM Semiconductor
- Категория товара :
- Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
- 120A (Tc)
- Drain to Source Voltage (Vdss) :
- 100 V
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
- 6V, 10V
- FET Feature :
- -
- FET Type :
- N-Channel
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
- 80 nC @ 10 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
- 4170 pF @ 50 V
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature :
- 150°C (TJ)
- Package / Case :
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Power Dissipation (Max) :
- 178W (Tc)
- Product Status :
- Active
- Rds On (Max) @ Id, Vgs :
- 5.8mOhm @ 50A, 10V
- Supplier Device Package :
- LPTL
- Technology :
- MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Max) :
- ±20V
- Vgs(th) (Max) @ Id :
- 4V @ 2.5mA
- lang_0258
- RJ1P12BBDTLL
Продукты, связанные с производителем
Продукты, связанные с каталогом
Сопутствующие товары
Деталь | Производитель | Склад | Описание |
---|---|---|---|
RJ1P48V30E | Carlo Gavazzi | 1 | SSR H/S PS 480V 30A 0-10V E |
RJ1P60I30E | Carlo Gavazzi | 1 | SSR H/S PS 600V 30A 4-20MA E |
RJ1P60V30E | Carlo Gavazzi | 5 | SSR H/S PS 600V 30A 0-10V E |
RJ1P60V50E | Carlo Gavazzi | 2 | SSR H/S PS 600V 50A 0-10V E |