RQ3P300BHTB1

Производитель-деталь №
RQ3P300BHTB1
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
RQ3P300BHTB1
Описание
NCH 100V 39A, HSMT8, POWER MOSFE
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
ROHM Semiconductor
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
39A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
FET Feature :
-
FET Type :
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
2040 pF @ 50 V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
150°C (TJ)
Package / Case :
8-PowerVDFN
Power Dissipation (Max) :
2W (Ta)
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15.5mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package :
8-HSMT (3.2x3)
Technology :
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) :
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
lang_0258
RQ3P300BHTB1

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
RQ3P300BETB1 ROHM Semiconductor 35,000 MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT