SQ1470AEH-T1_GE3

Производитель-деталь №
SQ1470AEH-T1_GE3
Производитель
Vishay
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
SQ1470AEH-T1_GE3
Описание
MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Vishay
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
1.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
FET Feature :
-
FET Type :
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
450 pF @ 15 V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Power Dissipation (Max) :
3.3W (Tc)
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
65mOhm @ 4.2A, 4.5V
Supplier Device Package :
SC-70-6
Technology :
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) :
±12V
Vgs(th) (Max) @ Id :
1.6V @ 250µA
lang_0258
SQ1470AEH-T1_GE3

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
SQ1420EEH-T1-GE3 Vishay 35,000 MOSFET N-CH 60V 1.6A SC70-6
SQ1421EDH-T1_GE3 Vishay 1,670 MOSFET P-CH 60V 1.6A SC70-6
SQ1431EH-T1_GE3 Vishay 19,978 MOSFET P-CH 30V 3A SC70-6
SQ1440EH-T1_GE3 Vishay 35,000 MOSFET N-CH 60V 1.7A SC70-6
SQ1464EEH-T1_GE3 Vishay 17,336 MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6
SQ1470EH-T1-GE3 Vishay 35,000 MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70