TK190E65Z,S1X
- Производитель-деталь №
- TK190E65Z,S1X
- Производитель
- Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- TK190E65Z,S1X
- Описание
- 650V DTMOS VI TO-220 190MOHM
- lang_0071
- 200
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- Компания:
- * Электронная почта:
- Телефон:
- Комментарий:
- lang_0872 :
- Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- Категория товара :
- Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
- 15A (Ta)
- Drain to Source Voltage (Vdss) :
- 650 V
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
- 10V
- FET Feature :
- -
- FET Type :
- N-Channel
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
- 25 nC @ 10 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
- 1370 pF @ 300 V
- Mounting Type :
- Through Hole
- Operating Temperature :
- 150°C
- Package / Case :
- TO-220-3
- Power Dissipation (Max) :
- 130W (Tc)
- Product Status :
- Active
- Rds On (Max) @ Id, Vgs :
- 190mOhm @ 7.5A, 10V
- Supplier Device Package :
- TO-220
- Technology :
- MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Max) :
- ±30V
- Vgs(th) (Max) @ Id :
- 4V @ 610µA
- lang_0258
- TK190E65Z,S1X
Продукты, связанные с производителем
Продукты, связанные с каталогом
Сопутствующие товары
| Деталь | Производитель | Склад | Описание |
|---|---|---|---|
| TK1905800000G | Amphenol Anytek | 35,000 | TERM BLK 19P SIDE ENTRY 5MM PCB |
| TK190A65Z,S4X | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | 153 | MOSFET N-CH 650V 15A TO220SIS |
| TK190U65Z,RQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | 3,313 | DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ |
| TK19A45D(STA4,Q,M) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | 35,000 | MOSFET N-CH 450V 19A TO220SIS |
| TK19A50W,S5X | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | 35,000 | PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- |
