G20N03K

Производитель-деталь №
G20N03K
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
G20N03K
Описание
N30V,RD(MAX)<20M@10V,RD(MAX)<24M
lang_0071
4765

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Goford Semiconductor
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
FET Feature :
-
FET Type :
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
923 pF @ 15 V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Power Dissipation (Max) :
33W (Tc)
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package :
TO-252
Technology :
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) :
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
lang_0258
G20N03K

Продукты, связанные с производителем

  • Goford Semiconductor
    P+P -30V,RD(MAX)<60M@-10V,RD(MAX
  • Goford Semiconductor
    N60V, 5A,RD<35M@10V,VTH1V~2.5V,
  • Goford Semiconductor
    P-30V, -9A,RD<18M@-10V,VTH-1V~-2
  • Goford Semiconductor
    N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M
  • Goford Semiconductor
    NP60V, 5A/-3.1A,RD<36M/80M@10V/-

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
G20N03D2 Goford Semiconductor 3,000 N30V,RD(MAX)<24M@10V,RD(MAX)<29M
G20N06D52 Goford Semiconductor 4,538 N60V,RD(MAX)<30M@10V,RD(MAX)<40M