LN100LA-G
- Производитель-деталь №
- LN100LA-G
- Производитель
- Microchip Technology
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- LN100LA-G
- Описание
- MOSFET 2N-CH 1200V
- lang_0071
- 35000
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- Компания:
- * Электронная почта:
- Телефон:
- Комментарий:
- lang_0872 :
- Microchip Technology
- Категория товара :
- Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
- -
- Drain to Source Voltage (Vdss) :
- 1200V (1.2kV)
- FET Feature :
- Standard
- FET Type :
- 2 N-Channel (Cascoded)
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
- -
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
- 50pF @ 25V
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature :
- -25°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case :
- 6-VFLGA
- Power - Max :
- 350mW
- Product Status :
- Obsolete
- Rds On (Max) @ Id, Vgs :
- 3000Ohm @ 2mA, 2.8V
- Supplier Device Package :
- 6-LFGA (3x3)
- Vgs(th) (Max) @ Id :
- 1.6V @ 10µA
- lang_0258
- LN100LA-G
Продукты, связанные с производителем
Продукты, связанные с каталогом
Сопутствующие товары
| Деталь | Производитель | Склад | Описание |
|---|---|---|---|
| LN1000J1K0E | Ohmite | 35,000 | 1000W 1000 OHMS SILI 5% |
| LN1000J500E | Ohmite | 1 | LN1000J500E |
| LN1000J50RE | Ohmite | 2 | LN1000J50RE |
| LN1000J750E | Ohmite | 1 | LN1000J750E |
| LN1000J800E | Ohmite | 1 | LN1000J800E |
| LN100F10KE | Ohmite | 2 | RES CHAS MNT 10K OHM 1% 100W |
| LN100F7R0E | Ohmite | 35,000 | RES CHAS MNT 7 OHM 1% 100W |
| LN100F916RE | Ohmite | 35,000 | RES CHAS MNT 916 OHM 1% 100W |
| LN100J20RE | Ohmite | 35,000 | 100W 20 OHMS VIT 5% |
| LN100J500E | Ohmite | 35,000 | LN100J500E |
| LN100J50R-B | Ohmite | 35,000 | 100W 50 OHMS VIT 5% - BULK |
| LN100J600 | Ohmite | 35,000 | 100W 600 OHMS VIT 5% |
| LN100J6R0E | Ohmite | 6 | LN100J6R0E |
| LN100J75RE | Ohmite | 4 | 100W 75 OHMS VIT 5% |
| LN10304P | Panasonic | 35,000 | LED GREEN DIFFUSED LEVEL METER |
