VQ3001P-E3

Производитель-деталь №
VQ3001P-E3
Производитель
Vishay
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
VQ3001P-E3
Описание
MOSFET 2N/2P-CH 30V 14DIP
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Vishay
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
850mA, 600mA
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
FET Feature :
Standard
FET Type :
2 N and 2 P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
110pF @ 15V
Mounting Type :
-
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
-
Power - Max :
2W
Product Status :
Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1Ohm @ 1A, 12V
Supplier Device Package :
-
Vgs(th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
lang_0258
VQ3001P-E3

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

  • EPC
    GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
  • EPC
    GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
  • ROHM Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 1200V 300A
  • Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
    MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6
  • Diodes Incorporated
    MOSFET N/P-CH 20V SOT26

Сопутствующие товары