SI4816BDY-T1-E3
- Производитель-деталь №
- SI4816BDY-T1-E3
- Производитель
- Vishay
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- SI4816BDY-T1-E3
- Описание
- MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
- lang_0071
- 35000
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- Компания:
- * Электронная почта:
- Телефон:
- Комментарий:
- lang_0872 :
- Vishay
- Категория товара :
- Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
- 5.8A, 8.2A
- Drain to Source Voltage (Vdss) :
- 30V
- FET Feature :
- Logic Level Gate
- FET Type :
- 2 N-Channel (Half Bridge)
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
- 10nC @ 5V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
- -
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature :
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Power - Max :
- 1W, 1.25W
- Product Status :
- Active
- Rds On (Max) @ Id, Vgs :
- 18.5mOhm @ 6.8A, 10V
- Supplier Device Package :
- 8-SOIC
- Vgs(th) (Max) @ Id :
- 3V @ 250µA
- lang_0258
- SI4816BDY-T1-E3
Продукты, связанные с производителем
Продукты, связанные с каталогом
Сопутствующие товары
| Деталь | Производитель | Склад | Описание |
|---|---|---|---|
| SI4800,518 | NXP Semiconductors | 35,000 | MOSFET N-CH 30V 9A 8SO |
| SI4800BDY-T1-E3 | Vishay | 339 | MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO |
| SI4800BDY-T1-GE3 | Vishay | 5,000 | MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO |
| SI4804BDY-T1-E3 | Vishay | 35,000 | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC |
| SI4804BDY-T1-GE3 | Vishay | 35,000 | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC |
| SI4804CDY-T1-E3 | Vishay | 35,000 | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO |
| SI4804CDY-T1-GE3 | Vishay | 35,000 | MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC |
| SI4808DY-T1-E3 | Vishay | 35,000 | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC |
| SI4808DY-T1-GE3 | Vishay | 35,000 | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC |
| SI4812BDY-T1-E3 | Vishay | 35,000 | MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO |
| SI4812BDY-T1-GE3 | Vishay | 35,000 | MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO |
| SI4814BDY-T1-E3 | Vishay | 35,000 | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC |
| SI4814BDY-T1-GE3 | Vishay | 35,000 | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC |
| SI4816BDY-T1-GE3 | Vishay | 35,000 | MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC |
| SI4816DY-T1-E3 | Vishay | 35,000 | MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC |
