SQ1922EEH-T1_GE3

Производитель-деталь №
SQ1922EEH-T1_GE3
Производитель
Vishay
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
SQ1922EEH-T1_GE3
Описание
MOSFET 2N-CH 20V SC70-6
lang_0071
1940

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Vishay
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
840mA (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20V
FET Feature :
Standard
FET Type :
2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
1.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
50pF @ 10V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Power - Max :
1.5W
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
350mOhm @ 400mA, 4.5V
Supplier Device Package :
SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
lang_0258
SQ1922EEH-T1_GE3

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

  • EPC
    GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE
  • EPC
    GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG
  • ROHM Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 1200V 300A
  • Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
    MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA US6
  • Diodes Incorporated
    MOSFET N/P-CH 20V SOT26

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
SQ1902AEL-T1_GE3 Vishay 35,000 MOSFET 2N-CH 20V POWERPAK SC70-6
SQ1912AEEH-T1_GE3 Vishay 35,000 MOSFET 2N-CH 20V POWERPAK SC70-6
SQ1912EH-T1_GE3 Vishay 35,000 MOSFET 2 N-CH 20V 800MA SC70-6
SQ1922AEEH-T1_GE3 Vishay 1,171 MOSFET N-CH DUAL 20V .85A SOT-36