NE58219-T1-A
- Производитель-деталь №
- NE58219-T1-A
- Производитель
- Renesas Electronics Corporation
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- NE58219-T1-A
- Описание
- NPN SILICON AMPLIFIER AND OSCILL
- lang_0071
- 36000
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- Компания:
- * Электронная почта:
- Телефон:
- Комментарий:
- lang_0872 :
- Renesas Electronics Corporation
- Категория товара :
- Discrete Semiconductor Products > Transistors - Bipolar (BJT) - RF
- Current - Collector (Ic) (Max) :
- 60mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
- 60 @ 5mA, 5V
- Frequency - Transition :
- 5GHz
- Gain :
- 5dB
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Noise Figure (dB Typ @ f) :
- -
- Operating Temperature :
- 125°C (TJ)
- Package / Case :
- SC-75, SOT-416
- Power - Max :
- 100mW
- Product Status :
- Last Time Buy
- Supplier Device Package :
- SC-75 (USM)
- Transistor Type :
- NPN
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
- 12V
- lang_0258
- NE58219-T1-A
Продукты, связанные с производителем
Продукты, связанные с каталогом
Сопутствующие товары
| Деталь | Производитель | Склад | Описание |
|---|---|---|---|
| NE5820M53-A | CEL (California Eastern Laboratories) | 35,000 | TRANS P CH 6V 17MA 3 PIN |
| NE5820M53-T1-A | CEL (California Eastern Laboratories) | 35,000 | TRANS P CH 6V 17MA 3 PIN |
| NE58219-T1-A | CEL (California Eastern Laboratories) | 35,000 | TRANSISTOR BIPOLAR .9GHZ 3-SMINI |
| NE58633BS,115 | NXP Semiconductors | 35,000 | IC AMP CLASS D STER 40MW 32HVQFN |
| NE58633BS,157 | NXP Semiconductors | 35,000 | IC AMP CLASS D STER 40MW 32HVQFN |
