BY329-1200,127

Производитель-деталь №
BY329-1200,127
Производитель
NXP Semiconductors
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
BY329-1200,127
Описание
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
NXP Semiconductors
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Diodes - Rectifiers - Single
Capacitance @ Vr, F :
-
Current - Average Rectified (Io) :
8A
Current - Reverse Leakage @ Vr :
1 mA @ 1000 V
Diode Type :
Standard
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature - Junction :
150°C (Max)
Package / Case :
TO-220-2
Product Status :
Obsolete
Reverse Recovery Time (trr) :
135 ns
Speed :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package :
TO-220AC
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.85 V @ 20 A
lang_0258
BY329-1200,127

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

  • ROHM Semiconductor
    DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB
  • onsemi
    DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
  • SMC Diode Solutions
    DIODE GEN PURP 400V 1A SMA
  • SMC Diode Solutions
    DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
  • Nexperia
    DIODE GP 100V 215MA TO236AB

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
BY329-1000,127 NXP Semiconductors 35,000 DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220AC
BY329-1500S,127 NXP Semiconductors 35,000 DIODE GEN PURP 1.5KV 6A TO220AC
BY329X-1200,127 NXP Semiconductors 35,000 DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220F
BY329X-1500,127 NXP Semiconductors 35,000 DIODE GEN PURP 1.5KV 6A TO220F
BY329X-1500S,127 NXP Semiconductors 35,000 DIODE GEN PURP 1.5KV 6A TO220F