D850N32TXPSA1
- Производитель-деталь №
- D850N32TXPSA1
- Производитель
- Infineon Technologies
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- D850N32TXPSA1
- Описание
- DIODE GEN PURP 3.2KV 850A
- lang_0071
- 35000
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- Компания:
- * Электронная почта:
- Телефон:
- Комментарий:
- lang_0872 :
- Infineon Technologies
- Категория товара :
- Discrete Semiconductor Products > Diodes - Rectifiers - Single
- Capacitance @ Vr, F :
- -
- Current - Average Rectified (Io) :
- 850A
- Current - Reverse Leakage @ Vr :
- 50 mA @ 3200 V
- Diode Type :
- Standard
- Mounting Type :
- Chassis Mount
- Operating Temperature - Junction :
- -40°C ~ 160°C
- Package / Case :
- DO-200AB, B-PUK
- Product Status :
- Obsolete
- Reverse Recovery Time (trr) :
- -
- Speed :
- Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
- Supplier Device Package :
- -
- Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
- 3200 V
- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
- 1.28 V @ 850 A
- lang_0258
- D850N32TXPSA1
Продукты, связанные с производителем
Продукты, связанные с каталогом
Сопутствующие товары
Деталь | Производитель | Склад | Описание |
---|---|---|---|
D850-15I | US-Lasers, Inc. | 35,000 | LASER DIODE 850NM 15MW TO18 |
D8505I | US-Lasers, Inc. | 43 | LASER DIODE 850NM 5MW TO18 |
D850N28TXPSA1 | Infineon Technologies | 35,000 | DIODE GEN PURP 2.8KV 850A |
D850N30TXPSA1 | Infineon Technologies | 35,000 | DIODE GEN PURP 3KV 850A |
D850N34TXPSA1 | Infineon Technologies | 35,000 | DIODE GEN PURP 3.4KV 850A |
D850N36TXPSA1 | Infineon Technologies | 35,000 | DIODE GEN PURP 3.6KV 850A |
D850N40TXPSA1 | Infineon Technologies | 35,000 | DIODE GEN PURP 4KV 850A |