GB01SLT12-220

Производитель-деталь №
GB01SLT12-220
Производитель
GeneSiC Semiconductor
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
GB01SLT12-220
Описание
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
GeneSiC Semiconductor
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Diodes - Rectifiers - Single
Capacitance @ Vr, F :
69pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) :
1A
Current - Reverse Leakage @ Vr :
2 µA @ 1200 V
Diode Type :
Silicon Carbide Schottky
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature - Junction :
-55°C ~ 175°C
Package / Case :
TO-220-2
Product Status :
Obsolete
Reverse Recovery Time (trr) :
0 ns
Speed :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package :
TO-220-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.8 V @ 1 A
lang_0258
GB01SLT12-220

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

  • ROHM Semiconductor
    DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB
  • onsemi
    DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
  • SMC Diode Solutions
    DIODE GEN PURP 400V 1A SMA
  • SMC Diode Solutions
    DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
  • Nexperia
    DIODE GP 100V 215MA TO236AB

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
GB015Z101MA6N KYOCERA AVX 35,000 CAP CER 100PF 50V X7S SMD
GB01SLT06-214 GeneSiC Semiconductor 35,000 DIODE SCHOTTKY 650V 1A DO214AA
GB01SLT12-214 GeneSiC Semiconductor 35,000 DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2.5A SMB
GB01SLT12-252 GeneSiC Semiconductor 14,377 DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252