8EWS12S

Производитель-деталь №
8EWS12S
Производитель
Vishay
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
8EWS12S
Описание
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Vishay
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Diodes - Rectifiers - Single
Capacitance @ Vr, F :
-
Current - Average Rectified (Io) :
8A
Current - Reverse Leakage @ Vr :
50 µA @ 1200 V
Diode Type :
Standard
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature - Junction :
-55°C ~ 150°C
Package / Case :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status :
Obsolete
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Speed :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package :
D-PAK (TO-252AA)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.1 V @ 8 A
lang_0258
8EWS12S

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

  • ROHM Semiconductor
    DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB
  • onsemi
    DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
  • SMC Diode Solutions
    DIODE GEN PURP 400V 1A SMA
  • SMC Diode Solutions
    DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
  • Nexperia
    DIODE GP 100V 215MA TO236AB

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
8EWS08S Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK
8EWS08STR Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK
8EWS08STRL Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK
8EWS08STRR Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 800V 8A DPAK
8EWS10S Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK
8EWS10STRL Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK
8EWS12STRL Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK
8EWS16S Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 1.6KV 8A DPAK
8EWS16STRL Vishay 35,000 DIODE GEN PURP 1.6KV 8A DPAK