QH12BZ600

Производитель-деталь №
QH12BZ600
Производитель
Power Integrations
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
QH12BZ600
Описание
DIODE GEN PURP 600V 12A TO263AB
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
Power Integrations
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Diodes - Rectifiers - Single
Capacitance @ Vr, F :
34pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) :
12A
Current - Reverse Leakage @ Vr :
250 µA @ 600 V
Diode Type :
Standard
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature - Junction :
-55°C ~ 150°C
Package / Case :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
11.6 ns
Speed :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package :
TO-263AB
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
3.1 V @ 12 A
lang_0258
QH12BZ600

Продукты, связанные с производителем

  • Power Integrations
    EVAL BOARD FOR INN3679C
  • Power Integrations
    EVAL BOARD FOR TNY288PG
  • Power Integrations
    EVAL BOARD FOR LNK3294
  • Power Integrations
    EVAL BOARD FOR INN3673C
  • Power Integrations
    EVAL BOARD FOR INN3268C

Продукты, связанные с каталогом

  • ROHM Semiconductor
    DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB
  • onsemi
    DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
  • SMC Diode Solutions
    DIODE GEN PURP 400V 1A SMA
  • SMC Diode Solutions
    DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
  • Nexperia
    DIODE GP 100V 215MA TO236AB

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
QH12TZ600 Power Integrations 49 DIODE GEN PURP 600V 12A TO220AC
QH12TZ600Q Power Integrations 500 AEC-Q101 600V 12A H SERIES