IV1D12010O2
- Производитель-деталь №
- IV1D12010O2
- Производитель
- Inventchip Technology
- Упаковка/футляр
- -
- Техническое описание
- IV1D12010O2
- Описание
- SIC DIODE, 1200V 10A, TO-220-2
- lang_0071
- 190
Запросить предложение (ЗКП)
- * lang_0862:
- Компания:
- * Электронная почта:
- Телефон:
- Комментарий:
- lang_0872 :
- Inventchip Technology
- Категория товара :
- Discrete Semiconductor Products > Diodes - Rectifiers - Single
- Capacitance @ Vr, F :
- 575pF @ 1V, 1MHz
- Current - Average Rectified (Io) :
- 28A
- Current - Reverse Leakage @ Vr :
- 50 µA @ 1200 V
- Diode Type :
- Silicon Carbide Schottky
- Mounting Type :
- Through Hole
- Operating Temperature - Junction :
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Package / Case :
- TO-220-2
- Product Status :
- Active
- Reverse Recovery Time (trr) :
- 0 ns
- Speed :
- No Recovery Time > 500mA (Io)
- Supplier Device Package :
- TO-220-2
- Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
- 1200 V
- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
- 1.8 V @ 10 A
- lang_0258
- IV1D12010O2
Продукты, связанные с производителем
Продукты, связанные с каталогом
Сопутствующие товары
Деталь | Производитель | Склад | Описание |
---|---|---|---|
IV1D06006O2 | Inventchip Technology | 190 | SIC DIODE, 650V 6A, TO-220-2 |
IV1D06006P3 | Inventchip Technology | 2,490 | SIC DIODE, 650V 6A, DPAK |
IV1D12005O2 | Inventchip Technology | 200 | SIC DIODE, 1200V 5A, TO-220-2 |
IV1D12010T2 | Inventchip Technology | 120 | SIC DIODE, 1200V 10A, TO-247-2 |
IV1D12015T2 | Inventchip Technology | 120 | SIC DIODE, 1200V 15A, TO-247-2 |
IV1D12020T2 | Inventchip Technology | 120 | SIC DIODE, 1200V 20A, TO-247-2 |
IV1D12020T3 | Inventchip Technology | 120 | SIC DIODE, 1200V 20A(10A/LEG), T |
IV1D12030U3 | Inventchip Technology | 120 | SIC DIODE, 1200V 30A(15A/LEG), T |
IV1D12040U2 | Inventchip Technology | 120 | SIC DIODE, 1200V 40A, TO-247-2 |