GE04MPS06E

Производитель-деталь №
GE04MPS06E
Производитель
GeneSiC Semiconductor
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
GE04MPS06E
Описание
650V 4A TO-252-2 SIC SCHOTTKY MP
lang_0071
6731

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
GeneSiC Semiconductor
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Diodes - Rectifiers - Single
Capacitance @ Vr, F :
186pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) :
11A
Current - Reverse Leakage @ Vr :
5 µA @ 650 V
Diode Type :
Silicon Carbide Schottky
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature - Junction :
-55°C ~ 175°C
Package / Case :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status :
Active
Reverse Recovery Time (trr) :
0 ns
Speed :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package :
TO-252-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.35 V @ 4 A
lang_0258
GE04MPS06E

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

  • ROHM Semiconductor
    DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB
  • onsemi
    DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
  • SMC Diode Solutions
    DIODE GEN PURP 400V 1A SMA
  • SMC Diode Solutions
    DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA
  • Nexperia
    DIODE GP 100V 215MA TO236AB

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
GE04MPS06A GeneSiC Semiconductor 7,191 650V 4A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP