BA89202VH6327XTSA1

Производитель-деталь №
BA89202VH6327XTSA1
Производитель
International Rectifier
Упаковка/футляр
-
Техническое описание
BA89202VH6327XTSA1
Описание
SILICON RF SWITCHING DIODE
lang_0071
35000

Запросить предложение (ЗКП)

* lang_0862:
  Компания:
* Электронная почта:
  Телефон:
  Комментарий:
lang_0872 :
International Rectifier
Категория товара :
Discrete Semiconductor Products > Diodes - RF
Capacitance @ Vr, F :
1.1pF @ 3V, 1MHz
Current - Max :
100 mA
Diode Type :
Standard - Single
Operating Temperature :
150°C (TJ)
Package / Case :
SC-79, SOD-523
Power Dissipation (Max) :
-
Product Status :
Active
Resistance @ If, F :
500mOhm @ 10mA, 100MHz
Supplier Device Package :
PG-SC79-2
Voltage - Peak Reverse (Max) :
35V
lang_0258
BA89202VH6327XTSA1

Продукты, связанные с производителем

Продукты, связанные с каталогом

Сопутствующие товары

Деталь Производитель Склад Описание
BA891 NXP Semiconductors 35,000 DIODE SWITCH BAND 35V SOD-523
BA891,115 NXP Semiconductors 35,000 DIODE STANDARD 35V 715MW SOD523
BA892-02V Infineon Technologies 36,000 SILICON RF SWITCHING DIODE
BA892-02V-E6327 Infineon Technologies 12,000 RECTIFIER DIODE, 35V
BA892-02VE6327 Infineon Technologies 15,000 RECTIFIER DIODE, 35V
BA89202LE6327 Infineon Technologies 38,046 RECTIFIER DIODE, 35V
BA89202VH6127XTSA1 Infineon Technologies 28,178 RF DIODE STANDARD 35V SC79-2
BA89202VH6327XTSA1 Infineon Technologies 35,000 RF DIODE STANDARD 35V SC79-2
BA89202VH6433XTMA1 Infineon Technologies 35,000 RF DIODE STANDARD 35V SC79-2
BA892E6770 Infineon Technologies 35,000 MIXER DIODE, VERY HIGH FREQUENCY
BA892H6127XTSA1 Infineon Technologies 35,000 RF DIODE STANDARD 35V SCD80
BA892H6327XTSA1 Infineon Technologies 35,000 RF DIODE STANDARD 35V SCD80
BA892H6433XTMA1 Infineon Technologies 35,000 RF DIODE STANDARD 35V SCD80
BA892H6770XTSA1 Infineon Technologies 35,000 RF DIODE STANDARD 35V SCD80
BA895-E6327 Infineon Technologies 35,000 PIN DIODE