IGT8E21
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- 制造商 :
- Harris Corporation
- 产品分类 :
- 分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 单
- Current - Collector (Ic) (Max) :
- 32 A
- Current - Collector Pulsed (Icm) :
- -
- Gate Charge :
- -
- IGBT Type :
- -
- Input Type :
- Standard
- Mounting Type :
- Through Hole
- Operating Temperature :
- -
- Package / Case :
- TO-247-3
- Power - Max :
- -
- Product Status :
- Active
- Reverse Recovery Time (trr) :
- -
- Supplier Device Package :
- TO-247
- Switching Energy :
- -
- Td (on/off) @ 25°C :
- -
- Test Condition :
- -
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
- -
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
- 500 V
- 数据列表
- IGT8E21
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部分 | 制造商 | 库存 | 描述 |
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IGT8292M50 | Integra Technologies | 10 | GAN, RF POWER TRANSISTOR, X-BAND |