SI8821EDB-T2-E1

制造商零件号
SI8821EDB-T2-E1
制造商
Vishay
包装/案例
-
数据表
SI8821EDB-T2-E1
描述
MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
库存
35000

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制造商 :
Vishay
产品分类 :
分立半导体产品 > 晶体管 - FET、MOSFET - 单
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
1.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
FET Feature :
-
FET Type :
P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
440 pF @ 15 V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
4-XFBGA, CSPBGA
Power Dissipation (Max) :
500mW (Ta)
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
135mOhm @ 1A, 4.5V
Supplier Device Package :
4-Microfoot
Technology :
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) :
±12V
Vgs(th) (Max) @ Id :
1.3V @ 250µA
数据列表
SI8821EDB-T2-E1

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