- 制造商 :
- EPC
- 产品分类 :
- 分立半导体产品 > 晶体管 - FET、MOSFET - 单
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
- 8.5A (Ta)
- Drain to Source Voltage (Vdss) :
- 200 V
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
- 5V
- FET Feature :
- -
- FET Type :
- N-Channel
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
- 2.9 nC @ 5 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
- 288 pF @ 100 V
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature :
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case :
- Die
- Power Dissipation (Max) :
- -
- Product Status :
- Active
- Rds On (Max) @ Id, Vgs :
- 42mOhm @ 7A, 5V
- Supplier Device Package :
- Die
- Technology :
- GaNFET (Gallium Nitride)
- Vgs (Max) :
- +6V, -4V
- Vgs(th) (Max) @ Id :
- 2.5V @ 1.5mA
- 数据列表
- EPC2019
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| 部分 | 制造商 | 库存 | 描述 |
|---|---|---|---|
| EPC200-CSP5 | ESPROS Photonics AG | 694 | SENSOR PHOTODIODE 850NM |
| EPC2001 | EPC | 35,000 | GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE |
| EPC2001C | EPC | 177,960 | GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE |
| EPC2007 | EPC | 35,000 | GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE |
| EPC2007C | EPC | 39,486 | GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE |
| EPC2010 | EPC | 35,000 | GANFET N-CH 200V 12A DIE |
| EPC2010C | EPC | 12,863 | GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE |
| EPC2012 | EPC | 35,000 | GANFET N-CH 200V 3A DIE |
| EPC2012C | EPC | 38,057 | GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE |
| EPC2014 | EPC | 35,000 | GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE |
| EPC2014C | EPC | 108,798 | GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE |
| EPC2015 | EPC | 35,000 | GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE |
| EPC2015C | EPC | 21,387 | GANFET N-CH 40V 53A DIE |
| EPC2016 | EPC | 35,000 | GANFET N-CH 100V 11A DIE |
| EPC2016C | EPC | 114,967 | GANFET N-CH 100V 18A DIE |
