- 制造商 :
- EPC
- 产品分类 :
- 分立半导体产品 > 晶体管 - FET、MOSFET - 单
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
- 1.7A (Ta)
- Drain to Source Voltage (Vdss) :
- 100 V
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
- 5V
- FET Feature :
- -
- FET Type :
- N-Channel
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
- 0.91 nC @ 5 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
- 90 pF @ 50 V
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature :
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case :
- Die
- Power Dissipation (Max) :
- -
- Product Status :
- Active
- Rds On (Max) @ Id, Vgs :
- 65mOhm @ 1A, 5V
- Supplier Device Package :
- Die
- Technology :
- GaNFET (Gallium Nitride)
- Vgs (Max) :
- +6V, -4V
- Vgs(th) (Max) @ Id :
- 2.5V @ 600µA
- 数据列表
- EPC2036
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部分 | 制造商 | 库存 | 描述 |
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EPC2007 | EPC | 35,000 | GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE |
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EPC2010 | EPC | 35,000 | GANFET N-CH 200V 12A DIE |
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EPC2012 | EPC | 35,000 | GANFET N-CH 200V 3A DIE |
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