FF3MR12KM1PHOSA1
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- 制造商 :
- Infineon Technologies
- 产品分类 :
- 分立半导体产品 > 晶体管 - FET、MOSFET - 阵列
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
- 375A (Tc)
- Drain to Source Voltage (Vdss) :
- 1200V (1.2kV)
- FET Feature :
- Standard
- FET Type :
- 2 N-Channel (Half Bridge)
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
- 1000nC @ 15V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
- 29800pF @ 25V
- Mounting Type :
- Chassis Mount
- Operating Temperature :
- -40°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case :
- Module
- Power - Max :
- -
- Product Status :
- Last Time Buy
- Rds On (Max) @ Id, Vgs :
- 2.83mOhm @ 375A, 15V
- Supplier Device Package :
- AG-62MM
- Vgs(th) (Max) @ Id :
- 5.15V @ 168mA
- 数据列表
- FF3MR12KM1PHOSA1
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部分 | 制造商 | 库存 | 描述 |
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FF3MR12KM1HOSA1 | Infineon Technologies | 6 | MEDIUM POWER 62MM |