BFS483H6327XTSA1
请求报价(RFQ)
- * 联系人姓名:
- 公司:
- * 电子邮件:
- 电话:
- 评论:
- 制造商 :
- Infineon Technologies
- 产品分类 :
- 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - RF
- Current - Collector (Ic) (Max) :
- 65mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
- 70 @ 15mA, 8V
- Frequency - Transition :
- 8GHz
- Gain :
- 19dB
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Noise Figure (dB Typ @ f) :
- 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
- Operating Temperature :
- 150°C (TJ)
- Package / Case :
- 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Power - Max :
- 450mW
- Product Status :
- Active
- Supplier Device Package :
- PG-SOT363-PO
- Transistor Type :
- 2 NPN (Dual)
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
- 12V
- 数据列表
- BFS483H6327XTSA1
制造商相关产品
目录相关产品
相关产品
部分 | 制造商 | 库存 | 描述 |
---|---|---|---|
BFS481H6327 | Infineon Technologies | 35,000 | LOW-NOISE SI TRANSISTOR |
BFS481H6327XTSA1 | Infineon Technologies | 24,000 | RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6 |